casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR10-J010
codice articolo del costruttore | CBR10-J010 |
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Numero di parte futuro | FT-CBR10-J010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR10-J010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, CM |
Pacchetto dispositivo fornitore | CM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR10-J010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR10-J010-FT |
GBJ2502-04-G
Comchip Technology
GBJ2502-05-G
Comchip Technology
GBJ2502-06-G
Comchip Technology
GBJ2502-G
Comchip Technology
GBJ2504-03-G
Comchip Technology
GBJ2504-04-G
Comchip Technology
GBJ2504-05-G
Comchip Technology
GBJ2504-06-G
Comchip Technology
GBJ2504-G
Comchip Technology
GBJ2506-03-G
Comchip Technology
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel