casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2504-06-G
codice articolo del costruttore | GBJ2504-06-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2504-06-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2504-06-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2504-06-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2504-06-G-FT |
PBPC602
Diodes Incorporated
PBPC603
Diodes Incorporated
PBPC604
Diodes Incorporated
PBPC605
Diodes Incorporated
PBPC606
Diodes Incorporated
PBPC607
Diodes Incorporated
KBJ402G
Diodes Incorporated
KBJ604G
Diodes Incorporated
KBJ608G
Diodes Incorporated
KBJ406G
Diodes Incorporated
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XCS20-3VQG100C
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
EP4CE22F17C6
Intel
EP3SE260F1152C4LN
Intel
XC2VP30-5FF1152I
Xilinx Inc.
XCKU035-1SFVA784C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1X
Intel