casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2502-G
codice articolo del costruttore | GBJ2502-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2502-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2502-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2502-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2502-G-FT |
PBPC805
Diodes Incorporated
PBPC806
Diodes Incorporated
PBPC807
Diodes Incorporated
PBPC601
Diodes Incorporated
PBPC602
Diodes Incorporated
PBPC603
Diodes Incorporated
PBPC604
Diodes Incorporated
PBPC605
Diodes Incorporated
PBPC606
Diodes Incorporated
PBPC607
Diodes Incorporated
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256C
Xilinx Inc.
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E4F29E3LG
Intel
5SGXMBBR2H43I2N
Intel
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I4LN
Intel