casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2502-G
codice articolo del costruttore | GBJ2502-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2502-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2502-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2502-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2502-G-FT |
PBPC805
Diodes Incorporated
PBPC806
Diodes Incorporated
PBPC807
Diodes Incorporated
PBPC601
Diodes Incorporated
PBPC602
Diodes Incorporated
PBPC603
Diodes Incorporated
PBPC604
Diodes Incorporated
PBPC605
Diodes Incorporated
PBPC606
Diodes Incorporated
PBPC607
Diodes Incorporated
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8
Intel
EP2AGZ225HF40I3N
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5SGXEA9K2H40I3LN
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5SGXEA3K2F35I3L
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EP3SE80F1152I4L
Intel
AT6005-4JI
Microchip Technology
EP20K200EQC208-1
Intel