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codice articolo del costruttore | CBL2012T4R7M |
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Numero di parte futuro | FT-CBL2012T4R7M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB, L Type |
CBL2012T4R7M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 490mA |
Corrente - Saturazione | 275mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 858 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 45MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBL2012T4R7M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBL2012T4R7M-FT |
LBC2016T680K
Taiyo Yuden
LBC2016T680M
Taiyo Yuden
LBC2016T6R8M
Taiyo Yuden
LBM2016T100J
Taiyo Yuden
LBM2016T100JV
Taiyo Yuden
LBM2016T101JV
Taiyo Yuden
LBM2016T120J
Taiyo Yuden
LBM2016T120JV
Taiyo Yuden
LBM2016T150JV
Taiyo Yuden
LBM2016T180J
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel