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codice articolo del costruttore | LBM2016T100JV |
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Numero di parte futuro | FT-LBM2016T100JV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, M Type |
LBM2016T100JV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 215mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.56 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 27MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.071" (1.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T100JV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LBM2016T100JV-FT |
CB2016T1R0M
Taiyo Yuden
CB2016T220K
Taiyo Yuden
CB2016T2R2M
Taiyo Yuden
CB2016T330K
Taiyo Yuden
CB2016T470K
Taiyo Yuden
CB2016T470KV
Taiyo Yuden
CB2016T6R8M
Taiyo Yuden
CBC2016T100K
Taiyo Yuden
CBC2016T220K
Taiyo Yuden
CBC2016T220M
Taiyo Yuden
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel