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codice articolo del costruttore | LBM2016T101JV |
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Numero di parte futuro | FT-LBM2016T101JV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, M Type |
LBM2016T101JV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 100µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 80mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 10.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 15 @ 796kHz |
Frequenza - Autorisonante | 9MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 796kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.071" (1.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T101JV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LBM2016T101JV-FT |
CB2016T220K
Taiyo Yuden
CB2016T2R2M
Taiyo Yuden
CB2016T330K
Taiyo Yuden
CB2016T470K
Taiyo Yuden
CB2016T470KV
Taiyo Yuden
CB2016T6R8M
Taiyo Yuden
CBC2016T100K
Taiyo Yuden
CBC2016T220K
Taiyo Yuden
CBC2016T220M
Taiyo Yuden
CBC2016T470M
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel