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codice articolo del costruttore | CBL2012T2R2M |
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Numero di parte futuro | FT-CBL2012T2R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB, L Type |
CBL2012T2R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 590mA |
Corrente - Saturazione | 440mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 507 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 80MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBL2012T2R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBL2012T2R2M-FT |
LBC2016T470K
Taiyo Yuden
LBC2016T470M
Taiyo Yuden
LBC2016T680K
Taiyo Yuden
LBC2016T680M
Taiyo Yuden
LBC2016T6R8M
Taiyo Yuden
LBM2016T100J
Taiyo Yuden
LBM2016T100JV
Taiyo Yuden
LBM2016T101JV
Taiyo Yuden
LBM2016T120J
Taiyo Yuden
LBM2016T120JV
Taiyo Yuden
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel