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codice articolo del costruttore | CBC2012T1R0MV |
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Numero di parte futuro | FT-CBC2012T1R0MV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB, C Type |
CBC2012T1R0MV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 640mA |
Corrente - Saturazione | 700mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 247 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 100MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBC2012T1R0MV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBC2012T1R0MV-FT |
LK2125R12K-T
Taiyo Yuden
CB2012T100KRV
Taiyo Yuden
CB2012T100MR
Taiyo Yuden
CB2012T101K
Taiyo Yuden
CB2012T2R2MV
Taiyo Yuden
CBC2012T220M
Taiyo Yuden
HK2125R33J-T
Taiyo Yuden
HK2125R39J-T
Taiyo Yuden
HK2125R47J-T
Taiyo Yuden
LB2012T2R2M
Taiyo Yuden
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel