casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LK2125R12K-T
codice articolo del costruttore | LK2125R12K-T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LK2125R12K-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LK |
LK2125R12K-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 120nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 270mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 220MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.05mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LK2125R12K-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LK2125R12K-T-FT |
LBM2016T120J
Taiyo Yuden
LBM2016T120JV
Taiyo Yuden
LBM2016T150JV
Taiyo Yuden
LBM2016T180J
Taiyo Yuden
LBM2016T180JV
Taiyo Yuden
LBM2016T1R0JV
Taiyo Yuden
LBM2016T1R2J
Taiyo Yuden
LBM2016T1R2JV
Taiyo Yuden
LBM2016T1R5JV
Taiyo Yuden
LBM2016T1R8JV
Taiyo Yuden
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation