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codice articolo del costruttore | LB2012T2R2M |
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Numero di parte futuro | FT-LB2012T2R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB |
LB2012T2R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 260mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 230 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 80MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2012T2R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LB2012T2R2M-FT |
LBM2016T1R8JV
Taiyo Yuden
LBM2016T220J
Taiyo Yuden
LBM2016T220JV
Taiyo Yuden
LBM2016T270JV
Taiyo Yuden
LBM2016T2R2JV
Taiyo Yuden
LBM2016T2R7JV
Taiyo Yuden
LBM2016T330J
Taiyo Yuden
LBM2016T330JV
Taiyo Yuden
LBM2016T390J
Taiyo Yuden
LBM2016T390JV
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel