casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / C2M0045170P
codice articolo del costruttore | C2M0045170P |
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Numero di parte futuro | FT-C2M0045170P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C2M™ |
C2M0045170P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 72A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 50A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 18mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 188nC @ 20V |
Vgs (massimo) | +25V, -10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3672pF @ 1000V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-4L |
Pacchetto / caso | TO-247-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C2M0045170P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C2M0045170P-FT |
ZXMP2120G4TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A08GQTA
Diodes Incorporated
DMN6069SE-13
Diodes Incorporated
DMP6185SE-13
Diodes Incorporated
DMN10H120SE-13
Diodes Incorporated
DMP45H150DHE-13
Diodes Incorporated
DMP45H21DHE-13
Diodes Incorporated
DMP6185SE-7
Diodes Incorporated
DMP6250SE-13
Diodes Incorporated
ZVN0545GTA
Diodes Incorporated
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel