casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP45H21DHE-13
codice articolo del costruttore | DMP45H21DHE-13 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DMP45H21DHE-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP45H21DHE-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 600mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1003pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 12.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP45H21DHE-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP45H21DHE-13-FT |
DMN3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3008SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN3010LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3010LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3018SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3018SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN3025LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3027LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3027LFG-7
Diodes Incorporated
DMN4008LFG-13
Diodes Incorporated
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation