casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN6069SE-13
codice articolo del costruttore | DMN6069SE-13 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DMN6069SE-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMN6069SE-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Ta), 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 825pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN6069SE-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN6069SE-13-FT |
DMN10H099SFG-7
Diodes Incorporated
DMN2005UFG-13
Diodes Incorporated
DMN2005UFG-7
Diodes Incorporated
DMN3008SFG-7
Diodes Incorporated
DMN3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3008SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN3010LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3010LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3018SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3018SFGQ-7
Diodes Incorporated
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel