casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C91P-M-18
codice articolo del costruttore | BZD27C91P-M-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27C91P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C91P-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 91V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 68V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C91P-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C91P-M-18-FT |
BZD27C5V1P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V8000-5FFG1517I
Xilinx Inc.
XC3S200A-5VQ100C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P030-VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3DQI
Microchip Technology
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGXEA7K3F40I3
Intel
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3SG
Intel