casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C62P-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZD27C62P-HE3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27C62P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C62P-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 62V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 47V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C62P-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C62P-HE3-18-FT |
BZD27C18P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C20P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C20P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
EP1S20F672C6
Intel
EP1SGX25DF672C6N
Intel
10CL016YU484C6G
Intel
EP3SL200H780I4LN
Intel
LFXP3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-2
Intel