casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C5V6P-M-18
codice articolo del costruttore | BZD27C5V6P-M-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C5V6P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C5V6P-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C5V6P-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C5V6P-M-18-FT |
BZD27C4V7P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation