casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C51P-E3-18
codice articolo del costruttore | BZD27C51P-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C51P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C51P-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 39V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C51P-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C51P-E3-18-FT |
BZD27C150P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
EP4SGX290KF43C2N
Intel
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation