casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C4V7P-HE3-08
codice articolo del costruttore | BZD27C4V7P-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C4V7P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C4V7P-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C4V7P-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C4V7P-HE3-08-FT |
BZD27C13P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation