casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C30P-M-18
codice articolo del costruttore | BZD27C30P-M-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C30P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C30P-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 22V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C30P-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C30P-M-18-FT |
BZD27C62P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
XC7VX550T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-1FF1759I
Xilinx Inc.
LFXP6C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SGES
Intel
EP20K300EBC652-2
Intel
EPF8820QC160-4
Intel