casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C6V2P-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZD27C6V2P-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C6V2P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C6V2P-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C6V2P-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C6V2P-HE3-18-FT |
BZD27C20P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C20P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C20P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C20P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K160T-1FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144M
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-2SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A1415A-1VQ100M
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP3SL110F780C4
Intel
EP20K100FC324-3
Intel