casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C11P-M-18
codice articolo del costruttore | BZD27C11P-M-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27C11P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C11P-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4µA @ 8.2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C11P-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C11P-M-18-FT |
BZD27C5V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C16F256C6
Intel
LFXP15C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780I4N
Intel
EP3SL50F780I3N
Intel