casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B200P-M3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B200P-M3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B200P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B200P-M3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 200V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 500 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B200P-M3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B200P-M3-18-FT |
BZD17C6V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V8P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C75P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C75P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C7V5P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C7V5P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C82P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C82P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP2-5E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-PTQ100
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG456I
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
5SGXMA3K2F40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation