casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C75P-E3-08
codice articolo del costruttore | BZD17C75P-E3-08 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD17C75P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C75P-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 75V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 56V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C75P-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C75P-E3-08-FT |
BZD27C24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B18P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-N3FGG676I
Xilinx Inc.
EP1K100FC256-3
Intel
EP4SGX180KF40C2
Intel
XC6VHX380T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
10AX115H2F34I2SG
Intel
EP4CE30F29I8L
Intel