casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C82P-E3-18
codice articolo del costruttore | BZD17C82P-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD17C82P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C82P-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 82V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 62V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C82P-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C82P-E3-18-FT |
BZD27B11P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B18P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C12P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV300E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1517C
Xilinx Inc.
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7K2F35C2LN
Intel
5SGSMD5H1F35C1N
Intel
XC4003E-2PC84C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
10AX066K4F35E3LG
Intel