casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C33P-E3-08
codice articolo del costruttore | BZD17C33P-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD17C33P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C33P-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 24V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C33P-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C33P-E3-08-FT |
BZD27C68P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C12P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C15P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-2TQ144I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208M
Microsemi Corporation
M2GL010T-VF400
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100
Microsemi Corporation
EP3C5F256A7N
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FT324C
Lattice Semiconductor Corporation