casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B110P-M3-08
codice articolo del costruttore | BZD27B110P-M3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B110P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B110P-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 82V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B110P-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B110P-M3-08-FT |
MMSZ5261B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
EP4S100G5H40I2
Intel
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D4F31I5N
Intel