casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C12P-E3-08
codice articolo del costruttore | BZD17C12P-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD17C12P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C12P-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 9.1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C12P-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C12P-E3-08-FT |
MMSZ5260C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel