casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYWF29-150HE3/45
codice articolo del costruttore | BYWF29-150HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-BYWF29-150HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYWF29-150HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYWF29-150HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYWF29-150HE3/45-FT |
BAS316/ZLF
NXP USA Inc.
BAS316/ZLX
NXP USA Inc.
BAS321/ZLF
NXP USA Inc.
BAS321/ZLX
NXP USA Inc.
STTH810FP
STMicroelectronics
BYC8X-600,127
WeEn Semiconductors
BYC8X-600P,127
WeEn Semiconductors
BYT79X-600,127
WeEn Semiconductors
BYC15X-600PQ
WeEn Semiconductors
BYC10DX-600,127
WeEn Semiconductors
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel