casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYV430W-300PQ
codice articolo del costruttore | BYV430W-300PQ |
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Numero di parte futuro | FT-BYV430W-300PQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV430W-300PQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV430W-300PQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV430W-300PQ-FT |
MUR20040CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20040CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20060CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30010CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30010CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30020CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30020CTR
GeneSiC Semiconductor
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation