casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR20060CTR
codice articolo del costruttore | MUR20060CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MUR20060CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR20060CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 110ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR20060CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR20060CTR-FT |
DD600N16KHPSA3
Infineon Technologies
DD600N18KHPSA2
Infineon Technologies
DD700N22KHPSA3
Infineon Technologies
DD710N16KHPSA2
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DD89N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N14KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N16KAHPSA1
Infineon Technologies
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel