casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR20060CTR
codice articolo del costruttore | MUR20060CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MUR20060CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR20060CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 110ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR20060CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR20060CTR-FT |
DD600N16KHPSA3
Infineon Technologies
DD600N18KHPSA2
Infineon Technologies
DD700N22KHPSA3
Infineon Technologies
DD710N16KHPSA2
Infineon Technologies
DD89N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N14KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N16KAHPSA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF484I4
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation