casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR30010CT
codice articolo del costruttore | MUR30010CT |
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Numero di parte futuro | FT-MUR30010CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR30010CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 90ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR30010CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR30010CT-FT |
DD710N16KHPSA2
Infineon Technologies
DD89N12KAHPSA1
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DD89N12KHPSA1
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DD89N12KKHPSA1
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DD89N16KKHPSA1
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DD89N18KHPSA1
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AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
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XC2V1000-5FG256I
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EP1S20F484C6N
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EP4SGX290FH29C3N
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XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation