casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR30010CT
codice articolo del costruttore | MUR30010CT |
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Numero di parte futuro | FT-MUR30010CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR30010CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 90ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR30010CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR30010CT-FT |
DD710N16KHPSA2
Infineon Technologies
DD89N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N14KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N16KAHPSA1
Infineon Technologies
DD89N16KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N16KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N18KHPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel