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codice articolo del costruttore | BYV415W-600PQ |
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Numero di parte futuro | FT-BYV415W-600PQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV415W-600PQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV415W-600PQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV415W-600PQ-FT |
NTSB20120CTT4G
ON Semiconductor
MURHB840CTG
ON Semiconductor
MBRB2535CTLG
ON Semiconductor
NTSB20100CTG
ON Semiconductor
SBRB2545CTG
ON Semiconductor
NTSB30120CTG
ON Semiconductor
MBRB3030CTLG
ON Semiconductor
NTSB20100CTT4G
ON Semiconductor
NTSB40100CTG
ON Semiconductor
MURHB860CTT4G
ON Semiconductor
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel