casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURHB860CTT4G
codice articolo del costruttore | MURHB860CTT4G |
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Numero di parte futuro | FT-MURHB860CTT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MEGAHERTZ™ |
MURHB860CTT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURHB860CTT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURHB860CTT4G-FT |
M1MA141WKT1
ON Semiconductor
M1MA141WKT1G
ON Semiconductor
MMBD717LT1
ON Semiconductor
NSVDAP222T1G
ON Semiconductor
DAN222T1G
ON Semiconductor
SBAT54CTT1G
ON Semiconductor
BAV70TT1G
ON Semiconductor
DAN222G
ON Semiconductor
BAT54CTT1G
ON Semiconductor
DAP222T1G
ON Semiconductor
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel