casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURHB840CTG
codice articolo del costruttore | MURHB840CTG |
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Numero di parte futuro | FT-MURHB840CTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURHB840CTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 28ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURHB840CTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURHB840CTG-FT |
BAT54AWT3G
ON Semiconductor
BAT54CWT1
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BAV99RWT1
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DAP202U
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M1MA141WAT1
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M1MA141WKT1
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M1MA141WKT1G
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XC4052XL-1HQ304C
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XC4005XL-3PQ208C
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XC6SLX75-N3FGG484C
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Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
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EP3SE80F1152I3
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LFE2M50E-6F484I
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LFE2-50E-6FN484C
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LCMXO640E-3MN100C
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