casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYV32-200HE3/45
codice articolo del costruttore | BYV32-200HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-BYV32-200HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV32-200HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32-200HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV32-200HE3/45-FT |
MBR2090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2090CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3045CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10170C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144A
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1SBG484C
Xilinx Inc.
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel
EPF10K50EQC208-3
Intel