casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V10150C-E3/4W
codice articolo del costruttore | V10150C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-V10150C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
V10150C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.41V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10150C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V10150C-E3/4W-FT |
VS-25CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-011-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2535CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H35PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel