casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V20120C-E3/4W
codice articolo del costruttore | V20120C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-V20120C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
V20120C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20120C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V20120C-E3/4W-FT |
MBR10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2535CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H35PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H45PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel