casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYT56M-TR
codice articolo del costruttore | BYT56M-TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYT56M-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYT56M-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-64, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-64 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT56M-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYT56M-TR-FT |
BAV203-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV203-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel