casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-MBRB2080CTR-M3
codice articolo del costruttore | VS-MBRB2080CTR-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MBRB2080CTR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-MBRB2080CTR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRB2080CTR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBRB2080CTR-M3-FT |
VS-20CTQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF484I4
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation