casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-MBRB2080CTHM3
codice articolo del costruttore | VS-MBRB2080CTHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MBRB2080CTHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-MBRB2080CTHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRB2080CTHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBRB2080CTHM3-FT |
VS-20CTQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation