casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM07-100-E3/98
codice articolo del costruttore | BYM07-100-E3/98 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM07-100-E3/98 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM07-100-E3/98 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA (GL34) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM07-100-E3/98 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM07-100-E3/98-FT |
SS1FH10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FH6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FH6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FL3-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FL3HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FL3HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FL4-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FL4HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FN6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FH10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel