casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS1FH6HM3/I
codice articolo del costruttore | SS1FH6HM3/I |
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Numero di parte futuro | FT-SS1FH6HM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS1FH6HM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1FH6HM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS1FH6HM3/I-FT |
SE10FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FJ-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07B-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07B-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07D-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07D-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel