casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS2FH10-M3/I
codice articolo del costruttore | SS2FH10-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-SS2FH10-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
SS2FH10-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS2FH10-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS2FH10-M3/I-FT |
ES07D-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07D-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07B-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07B-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07D-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07G-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel