casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG20D-E3/TR
codice articolo del costruttore | BYG20D-E3/TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYG20D-E3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYG20D-E3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG20D-E3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG20D-E3/TR-FT |
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFM-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel