casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG10M-E3/TR3
codice articolo del costruttore | BYG10M-E3/TR3 |
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Numero di parte futuro | FT-BYG10M-E3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYG10M-E3/TR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10M-E3/TR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG10M-E3/TR3-FT |
US1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA210-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS13-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2M-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel