casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US1GHE3_A/H
codice articolo del costruttore | US1GHE3_A/H |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-US1GHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
US1GHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1GHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US1GHE3_A/H-FT |
S1AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFM-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel