casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG10D-M3/TR
codice articolo del costruttore | BYG10D-M3/TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYG10D-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10D-M3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10D-M3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG10D-M3/TR-FT |
CSA2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B340A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1J-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel