casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BUL128D-B
codice articolo del costruttore | BUL128D-B |
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Numero di parte futuro | FT-BUL128D-B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BUL128D-B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1A, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 2A, 5V |
Potenza - Max | 70W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUL128D-B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUL128D-B-FT |
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XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EPF10K100EFC484-3
Intel
EP2SGX90EF1152C4
Intel
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation