casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BUL1102E
codice articolo del costruttore | BUL1102E |
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Numero di parte futuro | FT-BUL1102E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BUL1102E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 400mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 2A, 5V |
Potenza - Max | 70W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUL1102E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUL1102E-FT |
BULK128
STMicroelectronics
2STR2215
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2STR2230
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STR2550
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2STR1160
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2STR1230
STMicroelectronics
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SFE144C8G
Intel
5AGXMA3D4F27C5N
Intel
A42MX16-PL84A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel