codice articolo del costruttore | BUL416T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BUL416T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BUL416T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.33A, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 18 @ 700mA, 5V |
Potenza - Max | 110W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUL416T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUL416T-FT |
STK13003
STMicroelectronics
BU900TP
STMicroelectronics
BULK128
STMicroelectronics
2STR2215
STMicroelectronics
2STR2230
STMicroelectronics
STR2550
STMicroelectronics
2STR2160
STMicroelectronics
3STR1630
STMicroelectronics
2STR1215
STMicroelectronics
STR1550
STMicroelectronics
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel
EPF10K50SQC208-2X
Intel